ВЧ- и СВЧ- компоненты Hewlett-Packard

Наименование

Описание

5082-0001

PIN диод Vbr=120 V, Rs=4,7 Om, Ct=0,017 pF,

5082-0008

Step recover диод, chip, Vbr=15 V, Ct=0,38 pF

5082-0012

PIN диод Vbr=150 V, Rs=1 Om, Ct=0,12 pF, Tr=100ns

5082-2207

Chip,смесительн. диод с барьером Шотки f=10 GHz Z=200 Om

5082-2209

Chip,смесительн. диод с барьером Шотки f=10 GHz Z=200 Om

5082-2303

Диод Шотки Vbr=10 V, If=35 mA, Ct=1,0 pF

5082-2794

Chip,смесительн. диод с барьером Шотки f=10 GHz Z=150 Om

5082-2800

Диод Шотки Vbr=70 V, If=15 mA, Ct=2 pF

5082-2810

Диод Шотки Vbr=20 V, If=35 mA, Ct=1,2 pF

5082-2811

Диод Шотки Vbr=15 V, If=20 mA, Ct=1,2 pF

5082-2826

--------------||------------

5082-2830

4 Диода Шотки вкл.по кольцу Cm=0,5 pF Rd=12 Om

5082-2835

Диод Шотки Vbr=8 V, If=10 mA, Ct=1,0 pF

5082-2900

Диод Шотки Vbr=10 V, If=20 mA, Ct=1,2 pF

5082-3001

PIN диод Vbr=200 V, Rs=1 Om, Ct=0,25 pF, Tr=100ns

5082-3039

PIN диод Vbr=150 V, Rs=1,25 Om, Ct=0,25 pF, Tr=100ns

5082-3077

PIN диод Vbr=200 V, Rs=1,5 Om, Ct=0,3 pF, Tr=100ns

5082-3080

HF/VHF/UHF резист. диод Vbr=100 V,Ct=0,4 pF, Rh=1kOm

5082-3081

HF/VHF/UHFрезист. диод Vbr=100V,Ct=0,4 pF,Rh=1,5kOm

5082-3188

PIN диод Vbr=35 V, Rs=0,6 Om, Ct=1 pF, Tr=12 ns

5082-3379

HF/VHF/UHF резист. диод Vbr=50 V,Ct=0,4 pF, Rh=1kOm

AT-30511-BLK

Т-р npn 0,9 GHz Nf=1,1dB Ga=16 dB Vce=2,7 V SOT-143

AT-30511-TR1

 ----------------||------------------

AT-30533-BLK

Т-р npn 0,9 GHz Nf=1,1dB Ga=13 dB Vce=2,7 V SOT-23

AT-30533-TR1

 ----------------||------------------

AT-31011-BLK

Т-р npn 0,9 GHz Nf=1dB Ga=13 dB Vce=2,7 V SOT-143

AT-31011-TR1

 ----------------||------------------

AT-31033-BLK

Т-р npn 0,9 GHz Nf=1dB Ga=11 dB Vce=2,7 V SOT-23

AT-31033-TR1

 ----------------||------------------

AT-31625-BLK

Тр.npn ОЭ Po=28dBm 0,9GHz Ga=9dB Vce=4,8V SOT-223

AT-31625-TR1

 ----------------||------------------

AT-32011-BLK

Т-р npn 0,9 GHz Nf=1dB Ga=14 dB Vce=2,7 V SOT-23

AT-32011-TR1

 ----------------||------------------

AT-32032-BLK

Т-р npn 0,9 GHz Nf=1dB Ga=15 dB Vce=2,7 V SOT-323

AT-32033-BLK

Т-р npn 0,9 GHz Nf=1dB Ga=12,5 dB Vce=2,7 V SOT-143

AT-32033-TR1

 ----------------||------------------

AT-32063-BLK

Два тр npn 0,9GHz Nf=1,3dB Ga=14dB Vce=2,7V SOT-363

AT-32063-TR1

 ----------------||------------------

AT-33225-BLK

Тр.npn ОЭ Po=31dBm 0,9GHz Ga=9dB Vce=4,8V MSOP-3

AT-33225-TR1

 ----------------||------------------

AT-36408-BLK

Тр.npn ОЭ Po=35dBm 0,9GHz Ga=9dB Vce=4,8V SOIC-8

AT-36408-TR1

 ----------------||------------------

AT-38043-BLK

Тр.npn ОЭ Po=25dBm 0,9GHz Ga=15dB Vce=4,8V (SOT-343)

AT-38086-BLK

Тр.npn ОЭ Po=23dBm 0,9GHz Ga=9dB Vce=4,8V 86Plas.

AT-38086-TR1

 ----------------||------------------

AT-41400-GP4

Т-р кремн. npn 4 GHz Nf=3dB Ga=10,5 dB Vce=12V Chip

AT-41410

Т-р npn 4 GHz Nf=3dB Ga=10 dB Vce=12V 100mil Pack.

AT-41411-BLK

Т-р крем. npn 2GHz Nf=1,8dB Ga=13dB Vce=12V SOT-143

AT-41411-TR1

 ----------------||------------------

AT-41435

Т-р npn 4GHz Nf=3dB Ga=10dB Vce=12V 35micro-X Pack.

AT-41470

Т-р npn 4GHz Nf=3dB Ga=10,5 dB Vce=12V 75mil Pack.

AT-41485

Т-р npn 2GHz Nf=1,7dB Ga=13,5 dB Vce=12V 85 Plastic

AT-41486-BLK

Т-р npn 2GHz Nf=1,7dB Ga=13,5 dB Vce=12V 86 Plastic

AT-41486-TR1

 ----------------||------------------

AT-41511-BLK

Т-р npn 2GHz Nf=1dB Ga=15,5 dB Vce=12V SOT-143

AT-41511-TR1

 ----------------||------------------

AT-41532-BLK

Т-р npn 2,4GHz Nf=1,9dB Ga=9 dB Vce=3,5-8V SOT-323

AT-41533-BLK

Т-р npn 2GHz Nf=1dB Ga=14,5 dB Vce=12V SOT-23

AT-41533-TR1

 ----------------||------------------

AT-41586-BLK

Т-р npn 2GHz Nf=1,7dB Ga=12,5 dB Vce=12V 86 Plastic

AT-41586-TR1

 ----------------||------------------

AT-42000-GP4

Т-р кремн. npn 2 GHz Nf=1,9dB Ga=15 dB Vce=12V Chip

AT-42010

Т-р npn 2GHz Nf=1,9dB Ga=14 dB Vce=12V 100mil Pack.

AT-42035

Т-р npn 2GHz Nf=1,9dB Ga=14dB Vce=12V 35micro-X Pac.

AT-42070

Т-р npn 2GHz Nf=1,9dB Ga=15dB Vce=12V 70mil Pack.

AT-42085

Т-р npn 2GHz Nf=1,9dB Ga=14 dB Vce=12V 85 Plastic

AT-42086-BLK

Т-р npn 2GHz Nf=1,9dB Ga=13,5 dB Vce=12V 86 Plastic

AT-42086-TR1

 ----------------||------------------

AT-64020

Тр.npn Po=27dBm 4GHz Ga=6,5dB Vce=20V 200 mil BeO

AT-64023

Тр.npn Po=27dBm 4GHz Ga=9dB Vce=20V 230 mil BeO Fla

ATF-10135

GaAs FET Po=20dBm 4GHz Nf=0,5dB Ga=13dB 35micro-X Pac.

ATF-10136-STR

GaAs FET Po=20dBm 4GHz Nf=0,5dB Ga=13dB 35 micro-X

ATF-10136-TR1

 ----------------||------------------

ATF-10170

GaAs FET Po=21dBm 4GHz Nf=0,5dB Ga=14dB 70 mil Pac

ATF-10236-STR

GaAs FET Po=20dBm 4GHz Nf=0,8dB Ga=13dB 35 micro-X

ATF-10236-TR1

 ----------------||------------------

ATF-10736-STR

GaAs FET Po=20dBm 4GHz Nf=1,2dB Ga=13dB 35 micro-X

ATF-10736-TR1

 ----------------||------------------

ATF-13336-STR

GaAs FET Po=17dBm 12GHz Nf=1,2dB Ga=9dB 35 micro-X

ATF-13336-TR1

 ----------------||------------------

ATF-13736-STR

GaAs FET Po=17dBm 12GHz Nf=1,8dB Ga=9dB 36 micro-X

ATF-13736-TR1

 ----------------||------------------

ATF-13786-STR

GaAs FET осциллятор Fmax=60GHz Po=10dBm at 10GHz

ATF-13786-TR1

 ----------------||------------------

ATF-21170

GaAs FET Po=23dBm 4GHz Nf=0,9dB Ga=13dB 70 mil Pac

ATF-21186-STR

GaAs FET Po=19dBm 2GHz Nf=0,6dB Ga=13dB 85 mil Pac

ATF-26836-STR

GaAs FET Fmax=60GHz Po=18dBm at 12GHz 36 micro-X

ATF-26836-TR1

 ----------------||------------------

ATF-26884-STR

GaAs FET Fmax=60GHz Po=18dBm at 12GHz 84 Plastic

ATF-26884-TR1

 ----------------||------------------

ATF-36077-STR

PHEMT 2-18 GHz Nf=0,5dB at 12GHz Ga=12dB 77 Package

ATF-36077-TR1

 ----------------||------------------

ATF-36163-BLK

PHEMT Nf=1dB at 12GHz Ga=11dB SOT-363

ATF-36163-TR1

 ----------------||------------------

ATF-44101

GaAs FET Po=32dBm 4GHz Ga=9dB 100 mil Flange

ATF-45101

GaAs FET Po=29dBm 4GHz Ga=10dB 100 mil Flange

ATF-45171

GaAs FET Po=29dBm 4GHz Ga=10,5dB 70 mil Flange

ATF-46101

GaAs FET Po=27dBm 4GHz Ga=10dB 100 mil Flange

ATF-46171

GaAs FET Po=27dBm 4GHz Ga=11dB 70 mil Flange

HBAT-5400-BLK

Диод Шотки Vbr=30V, Ct=3pF, Rs=2,4Om, t=100ps SOT-23

HBAT-5402-BLK

Два диода Шотки Vbr=30V, Ct=3pF Rs=2,4Om, t=100ps SOT-23

HBAT-540B-BLK

HBAT-5400-BLK SOT-323 (SC-70)

HBAT-540C-BLK

HBAT-5402-BLK SOT-323 (SC-70)

HMMC-1002

"Перестраив.аттенюатор DC-50GHz; 0 -4V; min/max=2/40 dB"

HMMC-1015

"Перестраив.аттенюатор DC-50GHz; 0 -9V; min/max=2/40 dB"

HMMC-2006

GaAs однополюсный перекл.на два направления DC- 6 GHz

HMMC-2007

GaAs однополюсный перекл.на два направления DC- 8 GHz

HMMC-2027

GaAs однополюсный перекл.на два направл. DC- 26,5 GHz

HMMC-3002

GaAs предварительн. делитель частоты на 2 0,2- 16 GHz 60mA

HMMC-3004

GaAs предварительн. делитель частоты на 4 0,2- 16 GHz 60mA

HMMC-3008

GaAs предварительн. делитель частоты на 8 0,2- 16 GHz 60mA

HMMC-3022

GaAs предварительн. делитель частоты на 2 12 GHz 30mA

HMMC-3024

GaAs предварительн. делитель частоты на 4 12 GHz 30mA

HMMC-3028

GaAs предварительн. делитель частоты на 8 12 GHz 30mA

HMMC-3040

GaAs балансный смесит.с низкошумящ.усилителем 20-43 GHz

HMMC-5003

GaAS усилитель Chip 0,05-4 GHz Ga=11 dB P1=17,5dBm

HMMC-5004

GaAS усилитель Chip 100kHz-3 GHz Ga=19 dB P1=26,5dBm

HMMC-5021

GaAS усилитель 2-22 GHz Ga=9,5 dB P1=18dBm

HMMC-5022

GaAS усилитель 2-22 GHz Ga=9,5 dB P1=18dBm

HMMC-5023

GaAS низкошумящий усил. 21,2-26,5 GHz Ga=24 dB Nf=3 dB

HMMC-5025

GaAs усилитель с распр.пар-ми 2-50 GHz P1=12 dBm Nf=6 dB

HMMC-5026

GaAS усилитель 2-26,5 GHz Ga=9,5 dB P1=15dBm

HMMC-5027

GaAS усилитель 2-26,5 GHz P1=19 dBm Pdc=2,4 Watts

HMMC-5032

GaAS усилитель 17,7-36 GHz +22dBm

HMMC-5033

GaAS усилитель 17,7-36 GHz +26dBm

HMMC-5038

GaAS усилитель 37-40 GHz 3V 120mA 23dB Nf=4,8dB

HMMC-5040

GaAS усилитель 20-40 GHz Ga=22 dB P1=18 dBm

HMMC-5200

GaAS усилитель с ОС Дарлингтона DC-20 GHz Rin=50 Om

HMMC-5220

GaAS усилитель с ОС Дарлингтона DC-15 GHz Rin=50 Om

HMMC-5618

GaAS усилитель 6-20 GHz Ga=14 dB P1=18 dBm

HMMC-5620

GaAS усилитель 6-20 GHz Ga=17 dB P1=12 dBm Pdc=0,5 W.

HPLL-8001-BLK

Программируемый синтезатор частоты SOP14

HPMX-2003

Кремниевый биполярный вектор-модулятор 900 MHz

HPMX-2006

Преобразователь с повышением частоты 0,8-2,5 GHz

HPMX-2007

Кремниевый биполярн. сдвоенный вектор-модулятор 400 MHz

HPMX-3002

Кремниевый биполярный управляемый усилитель 900 MHz

HPMX-3003

Низкошумящий параметрический усилитель 1,5-2,5 GHz

HPMX-5001

Преобразователь с повышением и пониж. частоты 1,5-2,5 GHz

HPMX-5002

Модулятор ПЧ/Демодулятор ВЧ (TQFP-48)

HPND-0001

PIN диод, chip, Vbr=100 V, Rs=2 Om, Ct=0,2 pF, Trr=500 ns

HPND-0002

PIN диод, chip, Vbr=100 V, Rs=3,5 Om, Ct=0,2 pF, Trr=300 ns

HPND-4005

PIN диод,плоск.выв. Vbr=120 V,Rs=6 Om,Ct=0,02 pF,Trr=100 ns

HPND-4018

PIN диод,плоск.выводы Vbr=60 V,Rs=4 Om,Ct=0,02 pF,Trr=2 ns

HPND-4028

PIN диод,плоск.выводы Vbr=60 V,Rs=3 Om,Ct=0,04 pF,Trr=3 ns

HPND-4038

PIN диод,плоск.выводы Vbr=60 V,Rs=2 Om,Ct=0,06 pF,Trr=2 ns

HSCH-5310

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,1 pF, Ir=100 nA

HSCH-5312

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,15 pF, Ir=100 nA

HSCH-5314

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,15 pF, Ir=100 nA

HSCH-5315

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,15 pF, Ir=100 nA

HSCH-5316

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,25 pF, Ir=100 nA

HSCH-5317

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,25 pF, Ir=100 nA

HSCH-5318

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,25 pF, Ir=100 nA

HSCH-5319

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,25 pF, Ir=100 nA

HSCH-5330

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,1 pF, Ir=400 nA

HSCH-5331

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,1 pF, Ir=400 nA

HSCH-5332

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,15 pF, Ir=400 nA

HSCH-5333

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,15 pF, Ir=400 nA

HSCH-5336

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,25 pF, Ir=400 nA

HSCH-5340

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,1 pF, Ir=400 nA

HSCH-5341

Смесит. диод Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,1 pF, Ir=400 nA

HSCH-5511

2 cмесит. диода Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,1 pF, Ir=100 nA

HSCH-5512

2 cмесит. диода Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V,Ct=0,15 pF,Ir=100 nA

HSCH-5531

2 cмесит. диода Шотки 1-26 GHz Vbr=4 V, Ct=0,1 pF, Ir=400 nA

HSCH-9101

GaAs диод Шотки 44 GHz Vbr=4,5 V, Nf=6,7 dB, Rs=6 Om

HSCH-9161

GaAS детекторный диод 110 GHz, Cj=0,035pF, Rv=7,5 kOm

HSCH-9201

GaAs диод Шотки 44 GHz Vbr=4,5 V, Nf=6,7 dB, Rs=6 Om

HSCH-9251

GaAs диод Шотки 44 GHz Vbr=4,5 V, Nf=6,7 dB, Rs=6 Om

HSCH-9301

GaAs диодный мост Шотки Vbr=4,5 V, , Rs=6 Om Ctd=0,075 pF

HSCH-9351

GaAs диодный мост Шотки Vbr=4,5 V, , Rs=6 Om Ctd=0,075 pF

HSCH-9401

GaAs диод Шотки Chip 610 x 255 мкм Rs=8,5 Om Ct=0,045pF

HSMP-3800 см.прим.

Аттен. PIN-диод Vbr=100 V Rs=2,5 Om Ct=0,35 pF (SOT-23)

HSMP-3802 см.прим.

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMP-3804 см.прим.

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMP-3810

Аттен. PIN-диод Vbr=100 V Rs=4 Om Ct=0,35 pF (SOT-23)

HSMP-3812

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMP-3813

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMP-3814

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMP-381B

Аттен. PIN-диод Vbr=100 V Rs=3 Om Ct=0,35 pF (SOT-323)

HSMP-381C

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-323)

HSMP-381E

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-323)

HSMP-381F

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-323)

HSMP-3820

Переключат. PIN-диод Vbr=35 V Rs=0,6 Om Ct=1 pF (SOT-23)

HSMP-3822

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMP-3823

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMP-3824

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMP-3830

PIN-диод Vbr=200 V Rs=1,5 Om Ct=0,3 pF (SOT-23)

HSMP-3832

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMP-3833

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMP-3834

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMP-3860

PIN-диод Vbr=50 V Rs=3 Om Ct=0,2 pF (SOT-23)

HSMP-3862

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMP-3863

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMP-3864

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMP-386B

PIN-диод Vbr=200 V Rs=1,5 Om Ct=0,3 pF (SOT-323)

HSMP-386C

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-323)

HSMP-386E

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-323)

HSMP-386F

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-323)

HSMP-386L

----------||--------- 3 независимых диода (SOT-363)

HSMP-3880

Переключ. PIN-диод Vbr=100 V Rs=6,5 Om Ct=0,4 pF (SOT-23)

HSMP-3890

Переключ. PIN-диод Vbr=35 V Rs=2,5 Om Ct=0,3 pF (SOT-23)

HSMP-3892

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMP-3893

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMP-3894

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMP-3895

----------||--------- 2 независимых диода (SOT-143)

HSMP-389B

Переключ. PIN-диод Vbr=50 V Rs=2,5 Om Ct=0,3 pF (SOT-323)

HSMP-389C

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-323)

HSMP-389E

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-323)

HSMP-389F

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-323)

HSMP-389L-BLK

3 незав.PIN-диода Vbr=100V Rt=2Om Ct=0,3pF(SOT-363 6выв.)

HSMP-389T-BLK

----------||--------- 1 диод с ультранизкой индуктивностью

HSMP-389U-BLK

----------||--------- 2 независимых диода

HSMP-4810

СВЧ PIN-диод 3GHz Vbr=100 V Rs=4 Om Ct=0,4 pF (SOT-323)

HSMP-481B-BLK

СВЧ PIN-диод 3GHz Vbr=100V Rs=3 Om Ct=0,35 pF (SOT-323)

HSMP-4820

СВЧ PIN-диод 3GHz Vbr=35 V Rs=0,6 Om Ct=1 pF (SOT-323)

HSMP-482B-BLK

СВЧ PIN-диод 3GHz Vbr=50V Rs=0,6Om Ct=0,75pF (SOT-323)

HSMP-4890

СВЧ PIN-диод 3GHz Vbr=35 V Rs=2,5 Om Ct=0,38pF(SOT-323)

HSMP-489B-BLK

СВЧ PIN-диод 3GHz Vbr=100V Rs=2,5Om Ct=0,33pF(SOT-323)

HSMS-0005

Диод Шотки Vbr=не норм., If=1 mA, Ct=0,2 pF (Chip)

HSMS-0006

Диод Шотки Vbr=4 V, If=1 mA, Ct=0,17 pF (Chip)

HSMS-2700-BLK

Диод Шотки Vbr=15V, If=1mA, Ct=6,7pF Rs=0,65Om (SOT-23)

HSMS-2702-BLK

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-270B-BLK

Диод Шотки Vbr=15V, If=1mA, Ct=6,7pF Rs=0,65Om (SOT-323)

HSMS-270C-BLK

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-323)

HSMS-2800

Диод Шотки Vbr=70 V, If=15 mA, Ct=2 pF (SOT-23)

HSMS-2802

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-2803

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMS-2804

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMS-2805

----------||--------- 2 независимых диода (SOT-143)

HSMS-2807

----------||--------- 4 диода включенных кольцом (SOT-143)

HSMS-2808

----------||--------- 4 диода включенных мостом (SOT-143)

HSMS-280B

Диод Шотки Vbr=70 V, If=15 mA, Ct=2 pF Rd=35 Om (SOT-363)

HSMS-280C

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-363)

HSMS-280E

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-363)

HSMS-280F

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-363)

HSMS-280L-BLK

----------||--------- 3 независимых диода (SOT-363)

HSMS-280M-BLK

----------||--------- 4 диода с общим катодом (SOT-363)

HSMS-280N-BLK

----------||--------- 4 диода с общим анодом (SOT-363)

HSMS-280P-BLK

----------||--------- 2 полумоста (SOT-363)

HSMS-280R-BLK

----------||--------- 2 полукольца (SOT-363)

HSMS-2810

Диод Шотки Vbr=20 V, If=35 mA, Ct=1,2 pF (SOT-23)

HSMS-2812

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-2813

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMS-2814

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMS-2815

----------||--------- 2 независимых диода (SOT-143)

HSMS-2817

----------||--------- 4 диода включенных кольцом (SOT-143)

HSMS-2818

----------||--------- 4 диода включенных мостом (SOT-143)

HSMS-281B

Диод Шотки Vbr=20 V If=35 mA Ct=1,2 pF Rd=15 Om (SOT-363)

HSMS-281C

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-363)

HSMS-281E

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-363)

HSMS-281F

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-363)

HSMS-281L-BLK

----------||--------- 3 независимых диода (SOT-363)

HSMS-2820

Диод Шотки Vbr=8 V, If=1 mA, Ct=1 pF (SOT-23)

HSMS-2822

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-2823

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMS-2824

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMS-2825

----------||--------- 2 независимых диода (SOT-143)

HSMS-2827

----------||--------- 4 диода включенных кольцом (SOT-143)

HSMS-2828

----------||--------- 4 диода включенных мостом (SOT-143)

HSMS-2829

----------||--------- 4 диода вкл. по схеме Cross-over (SOT-143)

HSMS-282B

Диод Шотки Vbr=15 V If=30 mA Ct=1 pF Rd=12 Om (SOT-363)

HSMS-282C

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-363)

HSMS-282E

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-363)

HSMS-282F

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-363)

HSMS-282L-BLK

----------||--------- 3 независимых диода (SOT-363)

HSMS-282M-BLK

----------||--------- 4 диода с общим катодом (SOT-363)

HSMS-282N-BLK

----------||--------- 4 диода с общим анодом (SOT-363)

HSMS-282P-BLK

----------||--------- 2 полумоста (SOT-363)

HSMS-282R-BLK

----------||--------- 2 полукольца (SOT-363)

HSMS-2850

Детект.диод Шотки Vbr=250 V Ct=0,3 pF (SOT-23)

HSMS-2852

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-2855

----------||--------- 2 независимых диода (SOT-143)

HSMS-285B

СВЧ диод Шотки Piv=2V TSS=-55dBm Rv=8KOm (SOT-23)

HSMS-285C

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-285L-BLK

----------||--------- 3 независимых диода (SOT-323)

HSMS-285P-BLK

----------||--------- 2 полумоста (SOT-323)

HSMS-2860

Диод Шотки Vbr=350 V, Ct=0,25 pF Rs=5,5 Om (SOT-23)

HSMS-2862

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-2863

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMS-2864

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMS-2865

----------||--------- 2 независимых диода (SOT-143)

HSMS-286B

СВЧ диод Шотки Piv=2V TSS=-55dBm Rv=5KOm (SOT-23)

HSMS-286C

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-286E

----------||--------- 2 диода с общим анодом (SOT-23)

HSMS-286F

----------||--------- 2 диода с общим катодом (SOT-23)

HSMS-286F-BLK

 

HSMS-286L-BLK

----------||--------- 3 независимых диода (SOT-323)

HSMS-286P-BLK

----------||--------- 2 полумоста (SOT-323)

HSMS-286R-BLK

----------||--------- 2 полукольца (SOT-323)

HSMS-8001

Диод Шотки Vbr=4 V Ct=0,25 pF Rd=12 Om (SOT-23)

HSMS-8002

Диод Шотки Vbr=4 V Ct=0,16 pF Rd=14 Om (SOT-23)

HSMS-8011

Диод Шотки Vbr=4 V Ct=0,25 pF Rd=12 Om (SOT-23)

HSMS-8012

Диод Шотки Vbr=4 V Ct=0,16 pF Rd=14 Om (SOT-23)

HSMS-8101

Диод Шотки Vbr=4 V Ct=0,35 pF Rd=12 Om (SOT-23)

HSMS-8202-BLK

----------||--------- 2 последовательно включенных диода (SOT-23)

HSMS-8205

----------||--------- 2 посл.вкл. диода (SOT-23), Ct=0,4pF, Rd=14Om

HSMS-8207

----------||--------- 4 диода в кольце (SOT-143), Ct=0,4pF, Rd=14Om

IAM-81000-GP4

Смеситель с двойным преобр. частоты, усил. ПЧ 5Ghz, chip

IAM-81008-STR

Смеситель с двойным преобр. частоты, усил. ПЧ 5Ghz (SO-8)

IAM-81028-STR

Смеситель с двойным преобр. частоты, усил. ПЧ 5Ghz 28 Pac.

IAM-82008-STR

Смеситель с двойным преобр. частоты, усил. ПЧ 5Ghz (SO-8)

IAM-82028-STR

Смеситель с двойным преобр. частоты, усил. ПЧ 5Ghz 28 Pac.

IAM-91563-BLK

Преобразователь частоты 0,8-6 GHz, Nf=8,5 dB,3V (SOT-363)

IFD-53010-STR

Делитель частоты на 4 (0,15-5,5 GHz) 100 mil золото,керамика

IFD-53110-STR

Делитель частоты на 4 (0,15-3,5 GHz) 100 mil золото,керамика

IM3642-16L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM3642-4L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5053-16L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5053-32L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5053-4L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5053-8L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5259-16L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5259-32L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5259-4L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5259-8L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5964-16L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5964-32L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5964-4L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM5964-8L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM6472-16L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM6472-32L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM6472-4L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

IM6472-8L см.прим.

Мощный GaAs FET тр-р с внутренним согласованием

INA-01100-GP4

Низкошумящий усилитель Gp=24 dB Nf=1,7 dB 1 GHz chip

INA-01170

Низкошумящий усилитель Gp=24 dB Nf=1,7 dB 1 GHz 70 mil

INA-02100-GP4

Низкошумящий усилитель Gp=29 dB Nf=2 dB 1 GHz chip

INA-02170

Низкошумящий усилитель Gp=29 dB Nf=2 dB 1 GHz 70 mil

INA-02184-BLK

Низкошумящий усилитель Gp=28 dB Nf=2 dB 1 GHz 85 mil

INA-02186-BLK

Низкошумящий усилитель Gp=28 dB Nf=2 dB 1 GHz 85 mil

INA-03100-GP4

Низкошумящий усилитель Gp=2 dB Nf=2,5 dB 1,5 GHz chip

INA-03170

Низкошумящий усилитель Gp=26 dB Nf=2,5 dB 1,5 GHz 70 mil

INA-03184-BLK

Низкошумящий усилитель Gp=25 dB Nf=2,6 dB 1,5 GHz 84 mil

INA-10386-BLK

Низкошумящий усилитель Gp=26 dB Nf=3,8 dB 1,5 GHz 86 mil

INA-12063-BLK

Низкошумящий усилитель Gp=16 dB Nf=2 dB 0,9 GHz SOT-363

INA-30311-BLK

Низкошум. усил. Gp=13 dB Nf=3,5 dB 1GHz Vcc=3 V SOT-143

INA-31063-BLK

Si монолитный усилит.0,9GHz Ky=15dB, |S12|=- 46dB (SOT-363)

INA-32063-BLK

Si монолитный усилит.0,9GHz Ky=17dB, |S12|=- 30dB (SOT-363)

INA-34063-BLK

Si монолитный усилит.0,9GHz Ky=21dB, |S12|=- 32dB (SOT-363)

INA-50311-BLK

Низкошум. усил. Gp=19 dB Nf=3,6 dB 1GHz Vcc=5 V SOT-143

INA-51063-BLK

Низкошум. усил. Gp=20,5 dB Nf=3 dB 1GHz Vcc=5 V SOT-363

INA-52063-BLK

Низкошум. усил. Gp=22 dB Nf=4 dB 1,5GHz Vcc=5 V SOT-363

INA-54063-BLK

Низкошум. усил. Gp=21 dB Nf=5 dB 1,9GHz Vcc=5 V SOT-363

IVA-05128-STR

Усил.с переменн.к-том усил-я Gp=26 dB Nf=9 db 1,5GHz Cer-28

IVA-05200-GP4

Усил. с переменн. к-том усил-я Gp=30 dB Nf=9 db 1,5GHz chip

IVA-05208-STR

Усил. с переменн. к-том усил-я Gp=30 dB Nf=9 db 1,5GHz SO-8

IVA-05228-STR

Усил. с перем.к-том усил-я Gp=30dB Nf=9dB 1,5GHz 28 Pack.

IVA-14208-STR

Усил.с переменн.к-том усил-я Gp=24 dB Nf=9 db 2,5GHz SO-8

IVA-14228-STR

Усил.с переменн.к-том усил-я Gp=24 dB Nf=9 db 2,5GHz Cer-28

MGA-64135

GaAs усилитель Gp=12 db, Nf=12 db, 6 GHz, 35 Micro-X

MGA-81563-BLK

Усилитель Gp=14,8 db, Nf=2,8 db, 2 GHz, 3 V SOT-363

MGA-82563-BLK

Усилитель Gp=17,3 db, Nf=2,2 db, 2 GHz, 3 V SOT-363

MGA-83563-BLK

GaAs низкошум.усилит.Gp=22db Nf=1,6db 2,4GHz 3V SC-70

MGA-85563-BLK

GaAs низкошум.усилит.Gp=22db Nf=1,6db 2,4GHz 3V SC-70

MGA-86563-BLK

GaAs низкошум.усилит.Gp=22 db Nf=1,6 db 2,4 GHz SOT-363

MGA-86576-STR

GaAs низкошум.усилит.Gp=23 db Nf=1,6 db 4 GHz керамика

MGA-87563-BLK

GaAs усилитель Gp=12 db Nf=1,6 db 2,4 GHz 3 V SOT-363

MGS-70008-STR

Однополюсный переключ.на два положения GaAs SO-8

MGS-71008-STR

Однополюсный переключ.на два положения GaAs 180 mil

MSA-0100-GP4

Si усилитель Gp=19 db, Nf=5,5 db, 0,1 GHz, chip

MSA-0104

Si усилитель Gp=17 db, Nf=5,5 db, 0,5 GHz, 04A Plastic

MSA-0135

Si усилитель Gp=18,5 db, Nf=5,5 db, 0,5 GHz, 35 micro-X

MSA-0136-BLK

Si усилитель Gp=18,5 db, Nf=5,5 db, 0,5 GHz, 35 micro-X

MSA-0170

Si усилитель Gp=18,5 db, Nf=5,5 db, 0,5 GHz, 70 mil

MSA-0185

Si усилитель Gp=17,5 db, Nf=5,5 db, 0,5 GHz, 85 Plastic

MSA-0186-BLK

Si усилитель Gp=17,5 db, Nf=5,5 db, 0,5 GHz, 86 Plastic

MSA-0200-GP4 см.пр

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, chip

MSA-0204

Si усилитель Gp=11 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 04A Plastic

MSA-0235

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0236-BLK

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0270

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 70 mil

MSA-0285

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 85 Plastic

MSA-0286-BLK

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 86 Plastic

MSA-0300-GP4 см.пр

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6 db, 1 GHz, chip

MSA-0304

Si усилитель Gp=11 db, Nf=6 db, 1 GHz, 04A Plastic

MSA-0311-BLK

Si усилитель Gp=11 db, Nf=6 db, 1 GHz, SOT-143

MSA-0335

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0336-BLK

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0370

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6 db, 1 GHz, 70 mil

MSA-0385

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6 db, 1 GHz, 85 Plastic

MSA-0386-BLK

Si усилитель Gp=12 db, Nf=6 db, 1 GHz, 86 Plastic

MSA-0400-GP4 см.пр

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, chip

MSA-0404

Si усилитель Gp=7,5 db, Nf=7 db, 1 GHz, 04A Plastic

MSA-0420

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 200 mil BeO Pack.

MSA-0435

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0436-BLK

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0470

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 70 mil

MSA-0485

Si усилитель Gp=8 db, Nf=7 db, 1 GHz, 85 Plastic

MSA-0486-BLK

Si усилитель Gp=8 db, Nf=7 db, 1 GHz, 86 Plastic

MSA-0500-GP4

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, chip

MSA-0504

Si усилитель Gp=7 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 04A Plastic

MSA-0505-STR

Si усилитель Gp=7 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 05 Plastic

MSA-0520

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=6,5 db, 1 GHz, 200 mil BeO Pack.

MSA-0600-GP4 см.пр

Si усилитель Gp=19,5 db, Nf=2,8 db, 0,5 GHz, chip

MSA-0611-BLK

Si усилитель Gp=18 db, Nf=3 db, 0,5 GHz, SOT-143

MSA-0635

Si усилитель Gp=19 db, Nf=2,8 db, 0,5 GHz, 35 micro-X

MSA-0636-BLK

Si усилитель Gp=19 db, Nf=2,8 db, 0,5 GHz, 35 micro-X

MSA-0670

Si усилитель Gp=19,5 db, Nf=2,8 db, 0,5 GHz, 70 mil

MSA-0685

Si усилитель Gp=18,5 db, Nf=3 db, 0,5 GHz, 85 Plastic

MSA-0686-BLK

Si усилитель Gp=18,5 db, Nf=3 db, 0,5 GHz, 85 Plastic

MSA-0700-GP4 см.пр

Si усилитель Gp=13 db, Nf=4,5 db, 1 GHz, chip

MSA-0711-BLK

Si усилитель Gp=12 db, Nf=5 db, 1 GHz, SOT-143

MSA-0735

Si усилитель Gp=13 db, Nf=4,5 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0736-BLK

Si усилитель Gp=13 db, Nf=4,5 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0770

Si усилитель Gp=13 db, Nf=4,5 db, 1 GHz, 70 mil

MSA-0785

Si усилитель Gp=12,5 db, Nf=5 db, 1 GHz, 85 Plastic

MSA-0786-BLK

Si усилитель Gp=12,5 db, Nf=5 db, 1 GHz, 86 Plastic

MSA-0800-GP4 см.пр

Si усилитель Gp=23,5 db, Nf=3 db, 1 GHz, chip

MSA-0835

Si усилитель Gp=23 db, Nf=3 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0836-BLK

Si усилитель Gp=23 db, Nf=3 db, 1 GHz, 35 micro-X

MSA-0870

Si усилитель Gp=23,5 db, Nf=3 db, 1 GHz, 70 mil

MSA-0885

Si усилитель Gp=22,5 db, Nf=3,3 db, 1 GHz, 85 Plastic

MSA-0886-BLK

Si усилитель Gp=22,5 db, Nf=3,3 db, 1 GHz, 86 Plastic

MSA-0900-GP4 см.пр

Si усилитель Gp=8 db, Nf=6,5 db, 4 GHz, chip

MSA-0910

Si усилитель Gp=8 db, Nf=6,5 db, 4 GHz, 100 mil

MSA-0986-BLK

Si усилитель Gp=7,2 db, Nf=6,2 db, 3 GHz, 86 Plastic

MSA-1000-GP4 см.пр

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=7 db, 1 GHz, chip

MSA-1023

Si усилитель Gp=8,5 db, Nf=7 db, 1 GHz, 230 mil BeO Flange

MSA-1100-GP4

Si усилитель Gp=12 db, Nf=3,5 db, 0,5 GHz, chip

MSA-1104

Si усилитель Gp=12 db, Nf=3,6 db, 0,5 GHz, 04A Plastic

MSA-1105-STR

Si усилитель Gp=12 db, Nf=3,6 db, 0,5 GHz, 05 Plastic

MSA-1110

Si усилитель Gp=12 db, Nf=3,5 db, 0,5 GHz, 100 mil

MSA-1120

Si усилитель Gp=12 db, Nf=3,5 db, 0,5 GHz, 200 mil BeO Pack.

MSA-2011-BLK

Si усилитель Gp=16,2 db, Nf=4,3 db, DC-1 GHz SOT-143

MSA-2035

Si усилитель Gp=17,3 db, Nf=3,7 db, DC-1,1 GHz 35 micro-X

MSA-2085

Si усилитель Gp=16,6 db, Nf=3,7 db, DC-1,1 GHz 85 Plastic

MSA-2086-BLK

Si усилитель Gp=16,6 db, Nf=3,7 db, DC-1,1 GHz 86 Plastic

MSA-2111-BLK

Si усилитель Gp=16,5 db, Nf=3,3 db, 0,9 GHz SOT-143

MSA-3111-BLK

Si усилитель Gp=18,4 db, Nf=3,5 db, 1 GHz SOT-143

MSA-3135

Si усил. DC-0,6GHz Gp=19,6 db, Nf=3,2 db, 1 GHz 35 micro-X

MSA-3185

Si усил. DC-0,5GHz Gp=18,7 db, Nf=3,5 db, 1 GHz 85 Plastic

MSA-3186-BLK

Si усил. DC-0,5GHz Gp=18,7 db, Nf=3,5 db, 1 GHz 86 Plastic

MSA-9970

Si усилитель Gp=16 db, 1 GHz, 70 mil

MSF-8685 см.прим.

Si конвертор Gc=8 db, 1,5 GHz 85 mil plastic

PDA2446-DI-FP

PIN фотод. с волокном для передачи аналог.сигналов 1,5 GHz

PDR2500-FP

PIN фотод. с волокном OC-48/STM-6 1650nm Id=1nA Vr=20V

PDT0311-FC-A

PIN фотодиод с металл.разъемом FC,1200 - 1650 nm, 50 мкм

PDT0313-FC-A

----------------||------------------ высокоскоростной

PDT0411-FC-A

PIN фотодиод с металл.разъемом FC,1200 - 1650 nm, 90 мкм

PDT1346-DI-FP

PIN фотодиод с волокном 1200-1500 nm 50 мкм

PDT1442-DI-FP

PIN фотодиод с волокном 1200-1500 nm 90 мкм

PPA0155-FC-A

 

PPA1155-D-FP

 

VTO-8060

Варактор Fr=600-1000 MHz Po=20 mW/+13 dBm TO-8V

VTO-8080

Варактор Fr=800-1400 MHz Po=20 mW/+13 dBm TO-8V

VTO-8090

Варактор Fr=900-1600 MHz Po=20 mW/+13 dBm TO-8V

VTO-8150

Варактор Fr=1500-2500 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-8200

Варактор Fr=2000-3000 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-8240

Варактор Fr=2400-3700 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-8360

Варактор Fr=3600-4300 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-8430

Варактор Fr=4300-5800 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-8580

Варактор Fr=5800-6600 MHz Po=5 mW/+7 dBm TO-8V

VTO-8650

Варактор Fr=6500-8600 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-8810

Варактор Fr=8100-9100 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-8850

Варактор Fr=8500-9600 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-8950

Варактор Fr=9500-10500 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-9032

Варактор Fr=320-640 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-9050

Варактор Fr=500-1000 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-9068

Варактор Fr=680-1360 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-9090

Варактор Fr=900-1600 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-9120

Варактор Fr=1200-2000 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V

VTO-9130

Варактор Fr=1300-2300 MHz Po=10 mW/+10 dBm TO-8V